日前，中国武汉，长江存储科技有限责任公司宣布推出UFS 3.1通用闪存mdash，mdash，UC023这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机，平板电脑，AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT，机器学习，高速通信，8K视频，高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场，将为手机，平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择
长江存储高级副总裁陈轶表示 :伴随着5G通信，大数据，AIoT的加速普及，我们的工作生活随时随地与信息和数据相伴智能终端需要在短时间内处理海量数据，这对存储芯片的容量，性能及响应速度提出了更加严苛的要求长江存储依托创新晶栈架构3D NAND闪存，已面向办公，移动通信和企业级存储市场陆续推出了多款商用解决方案UC023作为长江存储面向高端嵌入式市场的首款旗舰产品，具有高速，稳定，耐用等特点，将为移动产品带来敏捷的响应速度和畅快的使用体验
根据JEDEC 2020年发布的标准，在加入了写入增强器，深度睡眠，性能调整通知等技术后，UFS 3.1理论带宽可达2.9GB/s*，性能较eMMC 5.1及UFS 2.2有了大幅提升UFS 3.1作为当下旗舰智能手机，平板的首选存储方案，可大幅缩短应用加载的等待时间，提升工作效率，为消费者带来8K视频，AR/VR等前沿技术的优质体验
业内著名分析机构Counterpoint资深分析师Brady Wang表示:后疫情时代下，手机已经不仅仅是一种通信工具，更兼具了工作，会议，学习，娱乐，购物等多重作用，尤其是大幅改善的相机品质和数量，使得手机需要更大的存储容量与更快的响应速度高端旗舰手机的存储容量需求在过去的三年中攀升明显，其2021年平均存储容量相较2019年提升约17.8%，存储需求上涨约48%
为了使消费者在赏玩高帧率游戏，观看8K高清视频时获得更为流畅的使用体验，长江存储UFS 3.1闪存UC023采用全新升级的晶栈2.0技术的TLC 3D闪存颗粒，设计和工艺得到了进一步的改良优化。作为旗舰级UFS 3.1闪存，UC023还具备如下特点:
bull，解码多项新技术，全面释放UFS 3.1优势:搭载主机碎片化整理技术，优化数据处理操作，节省更多存储空间，引入随机写性能优化机制，写入速度提升至230K IOPS*，实现多个应用自如切换。从全球市场综合发展来看，企业级SSD，电脑，智能手机将驱动闪存市场不断增长，预计到2024年，SSD的需求会占据闪存总量的57%，智能手机对存储器的需求占到27%。
bull，出色的性能功耗比，增强用户移动体验:发挥极致读写性能的同时，仍然保证超低功耗运行在线观看8K高清视频不卡顿，设备待机时间显著增长
bull，为客户量身定制，提供多款主流容量:UC023提供定制化产品开发服务与及时，专业，高效的技术支持，128，256和512GB三款存储容量，满足主流市场需求。。
UC023现已通过各平台验证，兼容性强，应用广泛此次UC023的正式发布，标志着长江存储嵌入式解决方案可以满足更为严苛的测试标准，适配更复杂的使用环境
2020年至今，长江存储凭借创新的技术，务实的作风，及时，快速地响应市场需求，先后研发并量产了满足不同细分市场需求的存储芯片，从入门级的eMMC 5.1到主流的UFS 2.2，再到高速的UFS 3.1闪存，为智能终端客户提供了多样化，高可靠性的产品组合未来，长江存储还将以晶栈技术为核心，持续完善产品布局，与产业链上下游携手并进，为全球半导体产业持续贡献价值
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